設(shè)備簡(jiǎn)介：

該設(shè)備采用電感耦合放電形式，將通入刻蝕室的工藝氣體分子解離，產(chǎn)生等離子體。

一方面由等離子體中的部分活性基團(tuán)與被刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，另一方面由于射頻偏壓作用，

等離子體中的正離子對(duì)被刻蝕材料表面進(jìn)行物理轟擊，從而以物理化學(xué)相結(jié)合的方法達(dá)到材料表面刻蝕的目的。

可刻蝕材料：設(shè)備通過(guò)氟基刻蝕氣體、氧刻蝕氣體，主要用于刻蝕SiC、光刻膠材料等；也可以通入氟基刻蝕氣體刻蝕其他常規(guī)材料，如Si、SiOx、SiNx、聚合物、SiC等。

主要指標(biāo)

真空室數(shù)量：                                單室，鋁合金方型臥式結(jié)構(gòu)，雙側(cè)開(kāi)門(mén)形式

極限真空：                                    優(yōu)于3.0×10-4Pa（環(huán)境濕度≤55%，系統(tǒng)經(jīng)烘烤除氣）

系統(tǒng)漏率：                                    優(yōu)于5×10-7Pa·L/s。

升壓率：                                       停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度小于6.7Pa

抽氣速率：                                    腔體潔凈，在短暫開(kāi)腔后，由大氣抽至5×10-3 Pa時(shí)間小于20分鐘，

                                                                                              由大氣抽至9.0×10-4 Pa時(shí)間小于45分鐘。

刻蝕材料：                                    SiC、光刻膠、Si、SiOx、SiNx、聚合物等。

真空室規(guī)格：                                 600mm×600mm×300mm

射頻陰極尺寸：                             Φ500mm

氣路：                                           4臺(tái)MFC控制4路氣體單獨(dú)進(jìn)氣。1/4英寸316不銹鋼管道，雙卡套密封。

主要刻蝕氣體配置：                      O2、Ar、SF6、CF4四路氣體單獨(dú)進(jìn)氣。

最小刻蝕線條：                             可刻蝕線條寬度<500nm的圖形

刻蝕不均勻性：                             ≤±5%（Φ400mm范圍內(nèi)）

樣品尺寸及數(shù)量：                          Φ400mm樣片1片/爐

樣品臺(tái)尺寸：                                 Φ500mm圓形