ICP 8100型 感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機
本設(shè)備專用于氟基或更弱腐蝕性氣體刻蝕,包括:聚合物;Si、SiO2、Si3N4;部分金屬(淺刻蝕)等;設(shè)備基于O2、氟基腐蝕氣體、Ar等。
設(shè)備簡介:
本設(shè)備專用于氟基或更弱腐蝕性氣體刻蝕。
設(shè)備配有自動Load-Lock系統(tǒng),由樣片室中的機械手,完成送樣/取樣過程。
支持雙片機械手,適合于在人工值守情況下的連續(xù)生產(chǎn)。
設(shè)備刻蝕材料廣泛,包括:聚合物;Si、SiO2、Si3N4;部分金屬(淺刻蝕)等;設(shè)備基于O2、氟基腐蝕氣體、Ar等。
主要技術(shù)指標:
真空刻蝕室尺寸: Φ376mm×H300mm
Load-lock腔體尺寸: L600mm*W450mm*H166mm,鋁質(zhì)臥式結(jié)構(gòu),上蓋自動開閉。
樣片大小及數(shù)量: φ8英寸樣片1片,load-lock室為φ8英寸樣片2片
刻蝕室極限真空度: ≤2×10-4Pa
Load-lock室極限真空度: ≤6.7*10-1Pa
系統(tǒng)漏率: ≤5×10-7Pa·L/s
靜態(tài)升壓: 系統(tǒng)停泵關(guān)機12小時后,真空度≤5Pa
刻蝕室抽氣速率 系統(tǒng)充干燥N2解除真空,短時暴露大氣后抽氣至5×10-3Pa≤15min
系統(tǒng)充干燥N2解除真空,短時暴露大氣后抽氣至9×10-4Pa≤40min
Load-lock室抽氣速率: 系統(tǒng)充干燥N2解除真空,短時暴露大氣后抽氣至10Pa≤7min
刻蝕不均勻性: ≤±5%