設(shè)備簡介：

ICP-601型感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機為我司針對大學(xué)、研究院所、企業(yè)研發(fā)機構(gòu)等用戶的科研及教學(xué)需求定點開發(fā)的刻蝕設(shè)備;

設(shè)備最大可支持 φ6英寸樣片的感應(yīng)耦合等離子體刻蝕，可用于但不限于刻蝕單晶硅、非晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、TaN、Ta、Ti、W、Mo、聚合物等薄膜材料。

根據(jù)待刻蝕樣品材料特性，用戶可選擇合適的工藝氣體進行刻蝕。

上述材料多選用含氟元素，常規(guī)使用SF6、CHF3、CF4、C4F8、O2、Ar等氣體刻蝕，客戶可依照需求選擇使用的氣體。

主要指標：

★樣片數(shù)量及尺寸：1片Ф6英寸

★刻蝕材料：包括并不限于單晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Ti、W、聚合物等

★刻蝕腔體：高真空系統(tǒng)

★刻蝕不均勻性：±3%-±6%

★刻蝕速率：0.1-4μm/min（視具體材料與工藝）

★工作臺：可升降，包含水冷

★電源配置：上電射頻，下電偏壓，包含自動匹配

★氣路數(shù)量與種類：6路耐氟基腐蝕氣路 或 用戶選配

★深硅刻蝕系統(tǒng)：可選配

★He冷背吹系統(tǒng)：可選配

★終點檢測控制：可選配質(zhì)譜儀

★操作模式：全自動+半自動控