PECVD-800 全自動等離子體化學氣相沉積臺
該設備主要用來淀積SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、類金剛石等多種薄膜材料； 應用于微電子、光電子、通訊、微機械等領域的器件研發和制造，以及能源材料、機械材料，各種無機材料及高分子材料的薄膜制備和表面改性。
設備簡介：
該設備主要用來淀積SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、類金剛石等多種薄膜材料；
應用于微電子、光電子、通訊、微機械等領域的器件研發和制造，以及能源材料、機械材料，各種無機材料及高分子材料的薄膜制備和表面改性。
設備主要參數：
淀積室數量 | 單室 |
淀積室規格 | ?400×150mm |
樣片臺尺寸 | ?290mm（熱均勻區?220mm） |
加熱溫度 | ≤ 300℃ |
淀積材料 | SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、類金剛石等 |
淀積速率 | 200 - 300 ?/min （與淀積材料和工藝有關） |
淀積不均勻性 | ≤ ±5% |
自動化程度 | 真空系統、下游壓力閉環控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動化控制。 |
人機界面 | Windows環境、觸摸屏操作 |
操作方式 | 全自動方式、非全自動方式 |
自動化裝置 | 可選擇進口件或國產件 |
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