主要原理與功能

設備利用平板電容式輝光放電原理，將通入沉積室的工藝氣體解離并產生等離子體，被解離的基團在等離子體中重新發生化學反應，在具有一定溫度的基片上沉積形成薄膜。

主要用途與特點

設備適用于大學、研究院所、企業研發機構通用的PECVD薄膜沉積科研與教學。

設備沉積材料廣泛，包括并不限于：硅基（Si）薄膜：非晶硅（a-Si）、多晶硅（poly-Si）、氧化硅（SiOx）、氮化硅（SixNy）等。

可自動在線調節沉積距離，適合不同工藝特性。

主要技術指標

腔體尺寸：                           Φ350mm×H300mm，真空不銹鋼制作，上蓋自動開閉。

極限真空度：                        ≤9×10-5Pa；

系統漏率：                            5×10-7Pa.l/s；

靜態升壓：                            系統停泵關機后12小時后，真空度≤5Pa;

                                              系統充干燥N2解除真空，短時暴露大氣后抽氣抽至5×10-3Pa時間小于15min，至9×10-4Pa≤30min

射頻陰極尺寸：                     Φ150mm。（最大樣品尺寸）

薄膜不均勻性：                     ≤±5%（Φ6英寸）

主要工藝氣體配置：              視具體鍍膜工藝而定

電源配置：                            射頻13.56MHz，1000W，自動匹配

工藝氣路：                            6路

沉積距離自動調節范圍：      20mm-60mm，調節精度：1mm

工作臺加熱溫度：                 400℃。PID自動測溫、控溫，多段控溫模式，控溫精度±1%。

控制方式：                           基于PLC及工控機的全自動、半自動控制方式。

                                             包含安全報警系統